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某半導(dǎo)體企業(yè):超短貨期,穩(wěn)定供貨助力薄膜沉積工藝

更新時(shí)間:2025-08-22      點(diǎn)擊次數(shù):939

一、項(xiàng)目背景:半導(dǎo)體迎來(lái)第二發(fā)展曲線(xiàn)

在生成式人工智能推動(dòng)下,近兩年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大幅反彈。根據(jù)多方預(yù)測(cè),半導(dǎo)體行業(yè)將持續(xù)增長(zhǎng),2030年有望突破1萬(wàn)億美元里程碑。 在我國(guó),面對(duì)半導(dǎo)體被‘卡脖子’的嚴(yán)峻現(xiàn)實(shí),其發(fā)展速度迅猛,且需求量較大。國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體發(fā)展也高度重視,并持續(xù)提出支持政策。

 

二、企業(yè)概況:致力于半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)產(chǎn)化

精量科技服務(wù)的某半導(dǎo)體企業(yè)致力于國(guó)產(chǎn)化替代,專(zhuān)業(yè)布局碳化硅工藝,經(jīng)過(guò)多年工藝積累,目前形成以刻蝕工藝設(shè)備、薄膜沉積工藝設(shè)備等系列產(chǎn)品,主要用于半導(dǎo)體前道工藝階段,如碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體加工。

 

三、工況需求:超供貨周期,保證生產(chǎn)質(zhì)量

該半導(dǎo)體企業(yè)為下游客戶(hù)提供薄膜沉積、刻蝕、除膠等設(shè)備,用于在基底材料上制作和沉積薄膜圖層,以形成芯片的功能層。在化學(xué)氣相沉積(CVD)過(guò)程中,需用氣液混合蒸發(fā)器將液體源材料蒸發(fā)并混合,從而在沉積過(guò)程中形成均勻的薄膜。

該半導(dǎo)體企業(yè)需要以替代某國(guó)外品牌,并提出以下需求: 
1.
供貨周期短且穩(wěn)定
2.
確保液體充分蒸發(fā); 
3.
響應(yīng)速度快,混合蒸發(fā)氣體輸出均勻

4.液體流量精度達(dá)到規(guī)定標(biāo)準(zhǔn).


四、解決方案:供貨周期短,保證生產(chǎn)質(zhì)量

在了解需求后,我們根據(jù)混合的介質(zhì)及工況,為客戶(hù)設(shè)計(jì)氣液混合蒸發(fā)系統(tǒng)。 

系統(tǒng)配置了可控蒸發(fā)混合器x1、液體質(zhì)量流量控制器x1、氣體質(zhì)量流量控制器x1、溫度控制儀x1



                            圖:用于氣液混合蒸發(fā)系統(tǒng)的ACU20CEM可控蒸發(fā)混合器產(chǎn)品 


系統(tǒng)配置如下: 

可控蒸發(fā)混合器:氣體最大量程10 ln/min,液體(水)最小量程120g/h。 
液體質(zhì)量流量控制器:準(zhǔn)確度±0.25% F.S,重復(fù)精度0.05% F.S。 
氣體質(zhì)量流量控制器:準(zhǔn)確度±0.5% F.S,重復(fù)精度 ±0.2% F.S。 

溫度控制儀:可控制最高達(dá)200℃~300℃高溫,充分滿(mǎn)足指定介質(zhì)蒸發(fā)條件。


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